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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

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  • Artikelnummer
    MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 12G 1866MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C-ND
    MT53D384M32D2DS-053AATES:C
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    12Gb (384M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
  • Uhrfrequenz
    1866MHz

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Beschreibung: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR

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Beschreibung: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M16D1Z1AMWC1

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Beschreibung: LPDDR4 6G DIE 384MX16

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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