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MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

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  • Artikelnummer
    MT53D384M32D2DS-053 AUT:C
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 12G 1866MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53D384M32D2DS-053 AUT:C-ND
    MT53D384M32D2DS-053AUT:C
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    12Gb (384M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
  • Uhrfrequenz
    1866MHz
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E

Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 12G 2133MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR

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MT53D384M32D2DS-053 WT:C

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MT53D384M32D2DS-053 XT:E

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

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Beschreibung: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

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MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

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MT53D384M32D2DS-053 XT:C

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