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N2M400FDB311A3CF TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    N2M400FDB311A3CF TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Andere Namen
    N2M400FDB311A3CF TR-ND
    N2M400FDB311A3CFTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    32Gb (4G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    MMC
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz
  • Uhrfrequenz
    52MHz
  • Basisteilenummer
    N2M400

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Das Folgende sind "N2M400FDB311A3CF TR" -Einziper.
DS28E81P+

DS28E81P+

Beschreibung: RADIATION RESISTANT

Hersteller: Maxim Integrated
vorrätig
RFQ
IDT71V424YL12PH8

IDT71V424YL12PH8

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
71V65603S100BQG8

71V65603S100BQG8

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

Beschreibung: IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
IDT71024S12TY

IDT71024S12TY

Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Beschreibung: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

Beschreibung: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
709079S15PF8

709079S15PF8

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
AT24CS02-STUM-T

AT24CS02-STUM-T

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C 1MHZ SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
AT49BV802A-70TU-T

AT49BV802A-70TU-T

Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
71T75602S133BGI8

71T75602S133BGI8

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

Beschreibung: IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
SST39VF800A-70-4I-B3KE

SST39VF800A-70-4I-B3KE

Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
70V7519S166BCI

70V7519S166BCI

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MX25L2026EM1I-12G

MX25L2026EM1I-12G

Beschreibung: IC FLASH 2MBIT

Hersteller: Macronix
vorrätig
RFQ
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