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N2M400GDB321A3CF TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    N2M400GDB321A3CF TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Andere Namen
    N2M400GDB321A3CF TR-ND
    N2M400GDB321A3CFTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    64Gb (8G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    MMC
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) MMC 52MHz
  • Uhrfrequenz
    52MHz
  • Basisteilenummer
    N2M400

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Das Folgende sind "N2M400GDB321A3CF TR" -Einziper.
S29GL128S10DHI013

S29GL128S10DHI013

Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
AT24C16-10PI-2.5

AT24C16-10PI-2.5

Beschreibung: IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
MT48H16M32L2F5-10

MT48H16M32L2F5-10

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR

MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR

Beschreibung: IC FLASH 64G PARALLEL 52VLGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
IDT71V416L12PHI8

IDT71V416L12PHI8

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
IS61WV51232BLL-10BLI-TR

IS61WV51232BLL-10BLI-TR

Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
S25FS064SAGMFM010

S25FS064SAGMFM010

Beschreibung: IC FLASH 64M SPI 133MHZ

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MX25U51245GZ4I

MX25U51245GZ4I

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 166MHZ 8WSON

Hersteller: Macronix
vorrätig
RFQ
S25FL512SDPBHIC10

S25FL512SDPBHIC10

Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 66MHZ 24BGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
IS43LR16160G-6BLI-TR

IS43LR16160G-6BLI-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

Beschreibung: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

Beschreibung: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Beschreibung: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
71V67703S85BQI

71V67703S85BQI

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
AT24C512C-XHM-B

AT24C512C-XHM-B

Beschreibung: IC EEPROM 512K I2C 8TSSOP

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

Beschreibung: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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