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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N3645
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1N3645

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N3645
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    5V @ 250mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    S, Axial
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    S, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1400V 250mA Through Hole S, Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1400V
  • Strom - Richt (Io)
    250mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N3614GP-M3/54

1N3614GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3645

1N3645

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 600MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3613GP-M3/54

1N3613GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3671

1N3671

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3643

1N3643

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3644

1N3644

Beschreibung: MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N3647

1N3647

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N3613GP-M3/73

1N3613GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3671A

1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
1N3646

1N3646

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 600MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N3646

1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3672

1N3672

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3613GP-E3/73

1N3613GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3613GPHE3/54

1N3613GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3613GPHE3/73

1N3613GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3673

1N3673

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N3614GP-M3/73

1N3614GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N3614

1N3614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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