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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N3647
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1370423

1N3647

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N3647
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    1N3647.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    5V @ 250mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    3000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2.5µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 3000V 600mA Through Hole Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 3000V
  • Strom - Richt (Io)
    600mA
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 5V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N3647" -Einziper.
1N3613GPHE3/73

1N3613GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N3673AR

1N3673AR

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3614GP-M3/54

1N3614GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N3673A

1N3673A

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3673AR

1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3644

1N3644

Beschreibung: MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N3672

1N3672

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3646

1N3646

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 600MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N3643

1N3643

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3614

1N3614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3673A

1N3673A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3645

1N3645

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3645

1N3645

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 600MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N3614GP-M3/73

1N3614GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N3671A

1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3673

1N3673

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3671

1N3671

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3646

1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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