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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4447
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61945851N4447-Bild.Microsemi

1N4447

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4447
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N4447.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 20mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N4447MS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25nA @ 20V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N4447" -Einziper.
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4446

1N4446

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4446 TR

1N4446 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4447

1N4447

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446 BK

1N4446 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446

1N4446

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
1N4448 TR

1N4448 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
1N4444-1

1N4444-1

Beschreibung: DIODE SWITCHING

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4436

1N4436

Beschreibung: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4437_FT

1N4437_FT

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4448

1N4448

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448

1N4448

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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