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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4448,113
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43166111N4448,113-Bild.NXP Semiconductors / Freescale

1N4448,113

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4448,113
  • Hersteller / Marke
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4448,113.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    ALF2
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N4448 T/R
    568-1361-2
    933120350113
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    200°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole ALF2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25nA @ 20V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4448

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1N4448-TP

1N4448-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4447

1N4447

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
1N4447

1N4447

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4448 TR

1N4448 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
RFQ
1N4448-A

1N4448-A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448

1N4448

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4448

1N4448

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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