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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5190
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2036231N5190-Bild.Microsemi

1N5190

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5190
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5190.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    400ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N5190" -Einziper.
1N5188US

1N5188US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5221A (DO-35)

1N5221A (DO-35)

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5221B (DO-35)

1N5221B (DO-35)

Beschreibung: DIODE ZENER 24V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5186US

1N5186US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5194UR

1N5194UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5194

1N5194

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5187US

1N5187US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5184

1N5184

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5221B

1N5221B

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5187

1N5187

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5189US

1N5189US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5188

1N5188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5195

1N5195

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5196

1N5196

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5183

1N5183

Beschreibung: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5221B A0G

1N5221B A0G

Beschreibung: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5196UR

1N5196UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5186

1N5186

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5195UR

1N5195UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5189

1N5189

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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