1N6392

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Spezifikation

Artikelnummer

1N6392
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1N6392.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

820mV @ 120A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

45V
Supplier Device-Gehäuse

DO-5
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

DO-203AB, DO-5, Stud
Andere Namen

1N6392MS
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 175°C
Befestigungsart

Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Schottky
detaillierte Beschreibung

Diode Schottky 45V 54A Chassis, Stud Mount DO-5
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

2mA @ 45V
Strom - Richt (Io)

54A
Kapazität @ Vr, F

3000pF @ 5V, 1MHz

Das Folgende sind "1N6392" -Einziper.

1N6386HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N645-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N6391

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 9VC BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

RFQ

1N6386-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N6385HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

1N6386HE3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

1N6385HE3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B AXIAL

Hersteller: Semtech

vorrätig

RFQ

1N646-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N6385HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

RFQ

1N6386HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Semtech

vorrätig

RFQ

1N6386-E3/73

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

1N645-1E3

Beschreibung: SWITCHING DIODE

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N646

Beschreibung: SILICON SWITCHING DIODES

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N6461US/TR

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

1N645UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi

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