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1N6386HE3/51

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6386HE3/51
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURPOSE 1.5KE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N6386HE3/51.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    21.2V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    18V
  • Spannung - Durchschlag
    1.5KE
  • Art
    Zener
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TransZorb®
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    Automotive
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    50A
  • Polarisation
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Andere Namen
    1N6386HE3/51GI
    1N6386HE3/51GI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N6386HE3/51
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURPOSE 1.5KE
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    25.5V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "1N6386HE3/51" -Einziper.
1N6385HE3_A/D

1N6385HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6385-E3/51

1N6385-E3/51

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6391

1N6391

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6392

1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6385HE3/51

1N6385HE3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6385HE3_A/C

1N6385HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6384HE3_A/C

1N6384HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 12V 17.1V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6392

1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6386HE3_A/C

1N6386HE3_A/C

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6384HE3_A/D

1N6384HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 12V 17.1V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N645-1E3

1N645-1E3

Beschreibung: SWITCHING DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6385-E3/73

1N6385-E3/73

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N645UR-1

1N645UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6386HE3_A/D

1N6386HE3_A/D

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N646-1

1N646-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N645-1

1N645-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6386-E3/54

1N6386-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6385-E3/54

1N6385-E3/54

Beschreibung: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N6386-E3/73

1N6386-E3/73

Beschreibung: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N646

1N646

Beschreibung: SILICON SWITCHING DIODES

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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