Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT19M120J

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

865442

APT19M120J-Bild.

Microsemi

APT19M120J

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$35.66

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT19M120J
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT19M120J.pdf
2.APT19M120J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

530 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

545W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

What is an embedded system?

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "APT19M120J" -Einziper.

APT200GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT18M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT200GN60JG

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT17NTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 480V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

APT200GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT18M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT17F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT2012F3C

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Hersteller: Kingbright

vorrätig

APT18M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT19F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT2012CGCK

Beschreibung: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Hersteller: Kingbright

vorrätig

APT18F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT17N80SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Beschreibung: LED RED CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright

vorrätig

APT18F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT17N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT200GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT2012EC

Beschreibung: LED RED CLEAR CHIP SMD

Hersteller: Kingbright

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.