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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT200GN60JDQ4
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3867540APT200GN60JDQ4-Bild.Microsemi

APT200GN60JDQ4

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT200GN60JDQ4
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    682W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT200GN60JDQ4MI
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    14.1nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    50µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    283A
  • Konfiguration
    Single
APT19F100J

APT19F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012EC

APT2012EC

Beschreibung: LED RED CLEAR CHIP SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 480V SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
APT2012F3C

APT2012F3C

Beschreibung: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT19M120J

APT19M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80S

APT18M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M100B

APT18M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Beschreibung: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Beschreibung: LED RED CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

Beschreibung: LED YELLOW CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT18F60B

APT18F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 195A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT200GN60J

APT200GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT18M80B

APT18M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT2012LVBC/D

APT2012LVBC/D

Beschreibung: LED BLUE CLEAR 2SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Beschreibung: LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT18F60S

APT18F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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