Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT25SM120B

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

994334

APT25SM120B

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT25SM120B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER MOSFET - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 10A, 20V
Verlustleistung (max)

175W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "APT25SM120B" -Einziper.

APT27HZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

APT25SM120S

APT25SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120B

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120S

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120BD15

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT28F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT26F120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT27GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 48A 223W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GP90BG

Beschreibung: IGBT 900V 72A 417W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT26M100JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GT120BRG

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT26F120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GR120SD15

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT26M100JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT28F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.