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6467233APT27HZTR-G1-Bild.Diodes Incorporated

APT27HZTR-G1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT27HZTR-G1
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 450V 0.8A TO92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT27HZTR-G1.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    450V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 40mA, 200mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Andere Namen
    APT27HZTR-G1DITB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    6 @ 300mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    10µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    800mA
  • Basisteilenummer
    APT27

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Das Folgende sind "APT27HZTR-G1" -Einziper.
APT29F80J

APT29F80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Beschreibung: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 48A 223W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Beschreibung: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
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