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APT54GA60B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT54GA60B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 96A 416W TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 32A
  • Testbedingung
    400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    17ns/112ns
  • Schaltenergie
    534µJ (on), 466µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    416W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    158nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    161A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    96A
APT5518BFLLG

APT5518BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 31A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT53N60BC6

APT53N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 53A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50N60JCCU2

APT50N60JCCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT56F50L

APT56F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 56A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT56F60B2

APT56F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT53F80J

APT53F80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5510JFLL

APT5510JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT56F60L

APT56F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50M75JLLU3

APT50M75JLLU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50MC120JCU2

APT50MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50M75JLLU2

APT50M75JLLU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT51M50J

APT51M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT54GA60BD30

APT54GA60BD30

Beschreibung: IGBT 600V 96A 416W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT56F50B2

APT56F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 56A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT51F50J

APT51F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT56M50B2

APT56M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT53N60SC6

APT53N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT55M50JFLL

APT55M50JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT50N60JCU2

APT50N60JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227

Hersteller: Microsemi
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APT55M65JFLL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227

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