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APT50M75JLLU2-Bild.

Microsemi

APT50M75JLLU2

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT50M75JLLU2
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT50M75JLLU2.pdf
2.APT50M75JLLU2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 25.5A, 10V
Verlustleistung (max)

290W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 51A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

51A (Tc)

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Das Folgende sind "APT50M75JLLU2" -Einziper.

APT51F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50N60JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 110A 446W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT51M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT53F80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT53N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 53A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 110A 446W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M75JLLU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50N60JCCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M65LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT53N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT54GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 96A 416W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M38JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT50M50JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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