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4918155APT60N60SCSG-Bild.Microsemi

APT60N60SCSG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60N60SCSG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 3mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D3Pak
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 44A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    431W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    19 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Super Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    60A (Tc)
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75L2FLLG

APT60M75L2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20SG

APT60S20SG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60M75L2LLG

APT60M75L2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT65GP60J

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60S20BG

APT60S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT64GA90B

APT64GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
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