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655011APT64GA90B2D30-Bild.Microsemi

APT64GA90B2D30

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270+
$9.562
510+
$8.945
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT64GA90B2D30
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 900V 117A 500W TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT64GA90B2D30.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    900V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 38A
  • Testbedingung
    600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    18ns/131ns
  • Schaltenergie
    1192µJ (on), 1088µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    500W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    162nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    193A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    117A

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Das Folgende sind "APT64GA90B2D30" -Einziper.
APT60N60SCSG

APT60N60SCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M80JVR

APT60M80JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M80L2VRG

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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