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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT7F120B

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1899062

APT7F120B-Bild.

Microsemi

APT7F120B

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Spezifikation

Artikelnummer

APT7F120B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT7F120B.pdf
2.APT7F120B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

335W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 7A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Tc)

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Das Folgende sind "APT7F120B" -Einziper.

APT7F80K

APT7F80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8014JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GT120JU3

Beschreibung: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT77N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT77N60JC3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8020JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8020B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8020LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT75M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT7F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8024JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT7M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT7M120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8018JN

APT8018JN

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT8024B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT77N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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