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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT75GT120JRDQ3
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3060938APT75GT120JRDQ3-Bild.Microsemi

APT75GT120JRDQ3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75GT120JRDQ3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 97A 480W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 75A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Leistung - max
    480W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Andere Namen
    APT75GT120JRDQ3G
    APT75GT120JRDQ3G-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    5.1nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 1200V 97A 480W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    200µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    97A
  • Konfiguration
    Single
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75M50L

APT75M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120J

APT75GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT7F80K

APT7F80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT7F120B

APT7F120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Beschreibung: IGBT 600V 155A 536W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75M50B2

APT75M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Beschreibung: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT7F100B

APT7F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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