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APTM100A23SCTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM100A23SCTG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM100A23SCTG.pdf
    2.APTM100A23SCTG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 mOhm @ 18A, 10V
  • Leistung - max
    694W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP4
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V (1kV)
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    36A

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Das Folgende sind "APTM100A23SCTG" -Einziper.
APTLVTR

APTLVTR

Beschreibung: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
APTLGVTR

APTLGVTR

Beschreibung: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM08TAM04PG

APTM08TAM04PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM-AMBPA012-001

APTM-AMBPA012-001

Beschreibung: NUT M12X1.5 BRASS C3604

Hersteller: Amphenol LTW
vorrätig
RFQ
APTM100A12STG

APTM100A12STG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM08TDUM04PG

APTM08TDUM04PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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