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APTM100DAM90G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM100DAM90G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM100DAM90G.pdf
    2.APTM100DAM90G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 39A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1250W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP6
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    20700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    744nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 78A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    78A (Tc)

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APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

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