Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > APTM100H45STG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3634316APTM100H45STG-Bild.Microsemi

APTM100H45STG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$140.13
10+
$130.968
25+
$126.388
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM100H45STG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM100H45STG.pdf
    2.APTM100H45STG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    540 mOhm @ 9A, 10V
  • Leistung - max
    357W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP4
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • Typ FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V (1kV)
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APTM100H45STG" -Einziper.
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.