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APTM120A80FT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM120A80FT1G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM120A80FT1G.pdf
    2.APTM120A80FT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    960 mOhm @ 12A, 10V
  • Leistung - max
    357W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6696pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    14A

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Zahlung
Das Folgende sind "APTM120A80FT1G" -Einziper.
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10TAM19FPG

APTM10TAM19FPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10TDUM19PG

APTM10TDUM19PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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