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APTM120DA56T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM120DA56T1G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    672 mOhm @ 14A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    390W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7736pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM120DA56T1G" -Einziper.
APTM120A15FG

APTM120A15FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120H57FTG

APTM120H57FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Hersteller: Microsemi
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APTM120SK15G

APTM120SK15G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

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