Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Thyristoren-SCRs > GA201AE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4654174

GA201AE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$64.358
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    GA201AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    SCR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    RoHS-konform
  • Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max)
    1.5V
  • Spannung - Aus-Zustand
    100V
  • Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max)
    750mV
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-18
  • Serie
    -
  • SCR-Typ
    Standard Recovery
  • RoHS-Status
    RoHS Compliant
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Andere Namen
    GA201AE3MS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • detaillierte Beschreibung
    SCR 100V Standard Recovery Through Hole TO-18
  • Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max)
    25mA
  • Aktuelle - Aus-Zustand (Max)
    100nA
  • Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM)
    -
  • Strom - Haltestrom (Ih) (Max)
    5mA
  • Strom - Gate Trigger (IGT) (Max)
    200µA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "GA201AE3" -Einziper.
GA200-001PD

GA200-001PD

Beschreibung: SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA2.2K3D210

GA2.2K3D210

Beschreibung: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA200-005WD

GA200-005WD

Beschreibung: SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA200-015WD

GA200-015WD

Beschreibung: SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA2.2K3A1A

GA2.2K3A1A

Beschreibung: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA20SICP12-263

GA20SICP12-263

Beschreibung: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GA242QR7E2102MW01L

GA242QR7E2102MW01L

Beschreibung: CAP CER 1000PF 250VAC X7R 1808

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA243DR7E2472MW01L

GA243DR7E2472MW01L

Beschreibung: CAP CER 4700PF 250VAC X7R 1812

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA20JT12-247

GA20JT12-247

Beschreibung: TRANS SJT 1.2KV 20A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GA200SA60U

GA200SA60U

Beschreibung: IGBT UFAST 600V 100A SOT227

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GA200SA60S

GA200SA60S

Beschreibung: IGBT STD 600V 100A SOT227

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GA242QR7E2471MW01L

GA242QR7E2471MW01L

Beschreibung: CAP CER 470PF 250VAC X7R 1808

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA243QR7E2103MW01L

GA243QR7E2103MW01L

Beschreibung: CAP CER 10000PF 250VAC X7R 1812

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA243DR7E2473MW01L

GA243DR7E2473MW01L

Beschreibung: CAP CER 0.047UF 250VAC X7R 1812

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA243QR7E2223MW01L

GA243QR7E2223MW01L

Beschreibung: CAP CER 0.022UF 250VAC X7R 1812

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
GA20JT12-263

GA20JT12-263

Beschreibung: TRANS SJT 1200V 45A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GA200-010WD

GA200-010WD

Beschreibung: SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA20SICP12-247

GA20SICP12-247

Beschreibung: TRANS SJT 1200V 45A TO247

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GA2.2K3A1IA

GA2.2K3A1IA

Beschreibung: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
GA243QR7E2222MW01L

GA243QR7E2222MW01L

Beschreibung: CAP CER 2200PF 250VAC X7R 1812

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.