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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N5617
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2755038JAN1N5617-Bild.Microsemi

JAN1N5617

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$6.93
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$5.698
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5617
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5617.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2106
    1086-2106-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JAN1N5617" -Einziper.
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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