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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N5612
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1157662

JAN1N5612

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5612
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5612.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    49V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    78.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    54V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    G, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    G, Axial
  • Andere Namen
    1086-15770
    1086-15770-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    19A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N5612" -Einziper.
JAN1N5558

JAN1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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