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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N5623
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JAN1N5623

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vorrätig
102+
$10.053
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5623
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5623.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2116
    1086-2116-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JAN1N5623" -Einziper.
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Beschreibung: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Beschreibung: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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