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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N5647A
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JAN1N5647A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5647A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5647A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    33.3V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    53.9V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    37.1V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-13
  • Andere Namen
    1086-15801
    1086-15801-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    28A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N5647A" -Einziper.
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Beschreibung: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Beschreibung: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Beschreibung: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Beschreibung: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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