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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N5772
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JAN1N5772

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5772
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 10CFLATPACK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5772.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    8
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    -
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    -
  • Spannung - Durchschlag
    10-CFlatpack
  • Art
    Steering (Rail to Rail)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    Ethernet
  • Stromleitungsschutz
    -
  • Power - Peak Pulse
    -
  • Polarisation
    10-CFlatPack
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N5772
  • Beschreibung
    TVS DIODE 10CFLATPACK
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    -
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N5772" -Einziper.
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Beschreibung: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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