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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N5807US
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JAN1N5807US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5807US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5807US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    JAN1N5807US-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JAN1N5807US" -Einziper.
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
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