Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N5806US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5895564JAN1N5806US-Bild.Microsemi

JAN1N5806US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$11.669
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5806US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5806US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    975mV @ 2.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-2122
    1086-2122-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    2.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N5806US" -Einziper.
JAN1N5807

JAN1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.