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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6104US
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JAN1N6104US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6104US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6104US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    12.71V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.4V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2136
    1086-2136-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    39.24A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "JAN1N6104US" -Einziper.
JAN1N6106AUS

JAN1N6106AUS

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104AUS

JAN1N6104AUS

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105AUS

JAN1N6105AUS

Beschreibung: TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105A

JAN1N6105A

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6107

JAN1N6107

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105

JAN1N6105

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6106A

JAN1N6106A

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104

JAN1N6104

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6106US

JAN1N6106US

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6106

JAN1N6106

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 15.23V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105US

JAN1N6105US

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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