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JAN1N6103A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6103A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6103A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    5.7V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    11.2V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.13V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2130
    1086-2130-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    44.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "JAN1N6103A" -Einziper.
JAN1N6075

JAN1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105AUS

JAN1N6105AUS

Beschreibung: TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6105A

JAN1N6105A

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105US

JAN1N6105US

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6078

JAN1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6105

JAN1N6105

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Beschreibung: TVS DIODE 16CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6104US

JAN1N6104US

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104

JAN1N6104

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104AUS

JAN1N6104AUS

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6077

JAN1N6077

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6081

JAN1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6074

JAN1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6100

JAN1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6073

JAN1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
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