Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6110
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5463386

JAN1N6110

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$15.855
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6110
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6110.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    11.4V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    22.05V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    13.54V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2157
    1086-2157-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    22.61A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6110" -Einziper.
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112AUS

JAN1N6112AUS

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6108

JAN1N6108

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6108US

JAN1N6108US

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111

JAN1N6111

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112

JAN1N6112

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112A

JAN1N6112A

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6109US

JAN1N6109US

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111US

JAN1N6111US

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6109

JAN1N6109

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.