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JAN1N6112

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6112
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6112.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    13.7V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    26.36V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    16.25V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2165
    1086-2165-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    18.91A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6110A

JAN1N6110A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112A

JAN1N6112A

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113A

JAN1N6113A

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113

JAN1N6113

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6114AUS

JAN1N6114AUS

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112AUS

JAN1N6112AUS

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111US

JAN1N6111US

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6111

JAN1N6111

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113AUS

JAN1N6113AUS

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6110

JAN1N6110

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6112US

JAN1N6112US

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 26.36V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113US

JAN1N6113US

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6114A

JAN1N6114A

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6109US

JAN1N6109US

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6114

JAN1N6114

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6111A

JAN1N6111A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

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