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JAN1N6132AUS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6132AUS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6132AUS.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    91.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    165.1V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    114V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2220
    1086-2220-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6134US

JAN1N6134US

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6133A

JAN1N6133A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6132US

JAN1N6132US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6131A

JAN1N6131A

Beschreibung: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6131

JAN1N6131

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6133

JAN1N6133

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6134

JAN1N6134

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6132

JAN1N6132

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6135

JAN1N6135

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6130US

JAN1N6130US

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6134AUS

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6131US

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6134A

Beschreibung: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
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JAN1N6133US

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
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