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JAN1N6134AUS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6134AUS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6134AUS.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    114V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    206.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    142.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2224
    1086-2224-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    2.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6135

JAN1N6135

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6133

JAN1N6133

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134A

JAN1N6134A

Beschreibung: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137

JAN1N6137

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136AUS

JAN1N6136AUS

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134US

JAN1N6134US

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135A

JAN1N6135A

Beschreibung: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6132

JAN1N6132

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136A

JAN1N6136A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6132A

JAN1N6132A

Beschreibung: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6132US

JAN1N6132US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136

JAN1N6136

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6134

JAN1N6134

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135US

JAN1N6135US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135AUS

JAN1N6135AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6133A

JAN1N6133A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6136US

JAN1N6136US

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

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