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JAN1N6149US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6149US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 15.2VWM 29.09VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6149US.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    18.05V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    15.2V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    51.49A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19639
    1086-19639-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6149US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 15.2VWM 29.09VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    29.09V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Beschreibung: TVS DIODE 16.7VWM 32.03VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6152A

JAN1N6152A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6150AUS

JAN1N6150AUS

Beschreibung: TVS DIODE 16.7VWM 30.5VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6147A

JAN1N6147A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6148US

JAN1N6148US

Beschreibung: TVS DIODE 13.7VWM 26.36VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6151

JAN1N6151

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6151A

JAN1N6151A

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 33.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6148AUS

JAN1N6148AUS

Beschreibung: TVS DIODE 13.7VWM 25.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6151US

JAN1N6151US

Beschreibung: TVS DIODE 18.2VWM 34.97VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6150

JAN1N6150

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6149

JAN1N6149

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6151AUS

JAN1N6151AUS

Beschreibung: TVS DIODE 18.2VWM 33.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6149A

JAN1N6149A

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6150A

JAN1N6150A

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6147AUS

JAN1N6147AUS

Beschreibung: TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6148A

JAN1N6148A

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6147US

JAN1N6147US

Beschreibung: TVS DIODE 12.2VWM 23.42VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6148

JAN1N6148

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 26.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6149AUS

JAN1N6149AUS

Beschreibung: TVS DIODE 15.2VWM 27.7VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
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