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JAN1N6476US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6476US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6476US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    51.6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    78.5V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    54V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    G-MELF (D-5C)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, G
  • Andere Namen
    1086-2297
    1086-2297-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    107A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6474US

JAN1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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