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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N649-1
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1601822

JAN1N649-1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N649-1
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N649-1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    400mA
  • Spannung - Durchschlag
    DO-35
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N649-1
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Diodenkonfiguration
    50nA @ 600V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 400mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    600V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N649-1" -Einziper.
JAN1N6621

JAN1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Beschreibung: TVS DIODE 14CDIP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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