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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTX1N5619
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2808252JANTX1N5619-Bild.Microsemi

JANTX1N5619

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vorrätig
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10+
$8.663
100+
$7.123
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTX1N5619
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTX1N5619.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-1042
    1086-1042-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N5619

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Das Folgende sind "JANTX1N5619" -Einziper.
JANTX1N5617

JANTX1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5617US

JANTX1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5620

JANTX1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5620US

JANTX1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5623

JANTX1N5623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5613

JANTX1N5613

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5619US

JANTX1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5615

JANTX1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5616

JANTX1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5623US

JANTX1N5623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5614

JANTX1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5621US

JANTX1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5629A

JANTX1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5622

JANTX1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5618

JANTX1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5621

JANTX1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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