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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTX1N5623US
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5471002

JANTX1N5623US

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100+
$13.782
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTX1N5623US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTX1N5623US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19427
    1086-19427-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 12V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANTX1N5623US" -Einziper.
JANTX1N5632A

JANTX1N5632A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5634A

JANTX1N5634A

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5635A

JANTX1N5635A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5620US

JANTX1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5629A

JANTX1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5638A

JANTX1N5638A

Beschreibung: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO-13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5630A

JANTX1N5630A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5633A

JANTX1N5633A

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5619US

JANTX1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5621

JANTX1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5620

JANTX1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5631A

JANTX1N5631A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5619

JANTX1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5618US

JANTX1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5637A

JANTX1N5637A

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5636A

JANTX1N5636A

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5622

JANTX1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5623

JANTX1N5623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5621US

JANTX1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
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