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4351070JANTXV1N5806-Bild.Microsemi

JANTXV1N5806

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5806
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2842
    1086-2842-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANTXV1N5806" -Einziper.
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5802URS

JANTXV1N5802URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5712UBCC

JANTXV1N5712UBCC

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5768

JANTXV1N5768

Beschreibung: TVS DIODE 10CFP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5772

JANTXV1N5772

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5807URS

JANTXV1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5802US

JANTXV1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5774

JANTXV1N5774

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N5804

JANTXV1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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