Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTXV1N5807URS
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2207360

JANTXV1N5807URS

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$28.225
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5807URS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N5807URS.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19440
    1086-19440-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N5807URS" -Einziper.
JANTXV1N5802US

JANTXV1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5804

JANTXV1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5802URS

JANTXV1N5802URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Beschreibung: SCHOTTKY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5806

JANTXV1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.