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JANTXV1N6130A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6130A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 76V 137.6V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6130A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    76V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    137.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    95V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2937
    1086-2937-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "JANTXV1N6130A" -Einziper.
JANTXV1N6132A

JANTXV1N6132A

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6127AUS

JANTXV1N6127AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6132

JANTXV1N6132

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6132AUS

JANTXV1N6132AUS

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6131AUS

JANTXV1N6131AUS

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6131

JANTXV1N6131

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6129

JANTXV1N6129

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6133

JANTXV1N6133

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6129A

JANTXV1N6129A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6133AUS

JANTXV1N6133AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6128

JANTXV1N6128

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6133A

JANTXV1N6133A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6130AUS

JANTXV1N6130AUS

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6127A

JANTXV1N6127A

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6131A

JANTXV1N6131A

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6130

JANTXV1N6130

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6129AUS

JANTXV1N6129AUS

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6128A

JANTXV1N6128A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6128AUS

JANTXV1N6128AUS

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6127

JANTXV1N6127

Beschreibung: TVS DIODE 56V 108.26V AXIAL

Hersteller: Microsemi
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