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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTXV1N6626U
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JANTXV1N6626U

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6626U
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.75A
  • Spannung - Durchschlag
    D-5B
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, E
  • Andere Namen
    1086-19980
    1086-19980-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    30ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JANTXV1N6626U
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Diodenkonfiguration
    2µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.35V @ 2A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N6626U" -Einziper.
JANTXV1N6623U

JANTXV1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6623US

JANTXV1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627U

JANTXV1N6627U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6626US

JANTXV1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625U

JANTXV1N6625U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6628U

JANTXV1N6628U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625

JANTXV1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6628US

JANTXV1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625US

JANTXV1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624

JANTXV1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624US

JANTXV1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627

JANTXV1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6628

JANTXV1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6630

JANTXV1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6629US

JANTXV1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624U

JANTXV1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627US

JANTXV1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6623

JANTXV1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6629

JANTXV1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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