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JANTXV1N6626US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6626US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6626US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    220V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, E
  • Andere Namen
    1086-3032
    1086-3032-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 220V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 220V
  • Strom - Richt (Io)
    1.75A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANTXV1N6626US" -Einziper.
JANTXV1N6628

JANTXV1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624

JANTXV1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625

JANTXV1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6630

JANTXV1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627

JANTXV1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627US

JANTXV1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625US

JANTXV1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6623U

JANTXV1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6626U

JANTXV1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6627U

JANTXV1N6627U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6629US

JANTXV1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6625U

JANTXV1N6625U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6623US

JANTXV1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6629

JANTXV1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6630US

JANTXV1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6628US

JANTXV1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624US

JANTXV1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6624U

JANTXV1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6628U

JANTXV1N6628U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

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